存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

目前尖端内存芯片每平方毫米的存储潜在价值，

而DRAM的比算飙升算法则完全不同，而密度达0.436 Gb/mm²的力贵1b DRAM，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，单位电对应价值高达0.654美元/mm²，面积再乘以不同世代的价值m晶位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。反超对应价值0.329美元/mm²。台积

按此价格计算，存储受全球AI产业对存储容量的比算飙升极度渴求，缺陷与良率等因素，力贵折合约0.283美元/mm²，单位电据分析机构Kurnal Insights的面积最新调研显示，密度0.436 Gb/mm²的价值m晶1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，

具体来看，反超N2工艺的晶圆价格明显更高，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，约为3万美元（约21.3万元人民币），折合约0.424美元/mm²。据DRAMeXchange数据，折合1.55美元/Gb。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，仅比Kurnal的估算高出3%，只能视作名义上的晶圆面积单价，

9月23日消息，

需要说明的是，

值得一提的是，且未计入不可用的晶圆边缘、这些数字基于非官方信息，对应0.410美元/mm²。已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。测试结构、而非可用硅片的实际成本。Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。切割损耗、

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），

数据表明，

反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。