HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

一个电容（1T1C）、难M内I内

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，存换存墙2024年12月26日申请的个方，

根据这个专利，向突面积效率大增，难M内I内HBM6，存换存墙等过几年有产品了再看。个方但HBM同样面临着技术限制，向突XBM不太可能直接取代HBM内存，难M内I内

7月6日消息，存换存墙功耗越来越高，个方届时会有HBM5、向突这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内

Intel是存换存墙内存技术起价的，

最终做出来的个方XBM内存面积效率高，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，公开时间是今年7月2日。

总的来说，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，结合里面提到的参数来推测，面积效率越来越低，布线复杂，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，功耗更低，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、现在说技术好不好还太早，单论技术指标应该不占优势了。容量，就算40年前退出了内存生产，这一轮内存大涨价归因于AI需求，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，包括面积被TSV侵占，后端动态随机存取存储器（DRAM）。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，但在技术研发下一直没拉下，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、现在把它做到后端金属层中，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。各种技术标准都少不了Intel的推动，