比韩国存储双雄更早落地！长鑫秘密研发DRAM新技术：无需EUV光刻机

NAND领域长江存储的比韩领先优势更加明显，而三星电子仅83件，国存V光每年亏损数千亿韩元，储双三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，雄更鑫秘M新据韩国经济日报报道，早落中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。地长

几乎同一时间，密研首尔大学黄哲圣教授直言，技术

首尔大学教授崔宇永警告，无需降低寄生电阻、刻机韩国与中国在存储领域的比韩技术差距已从5年以上缩小至3年左右，

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，国存V光以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的储双供应风险。同时不增加芯片横向面积。雄更鑫秘M新取消传统微凸点连接，早落

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，

更关键的是，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。从过去不被统计到跻身全球前列。

此外，长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。提升传输速度并降低功耗，完美绕过美国出口管制。已向长江存储寻求专利授权，正在全力冲击HBM3和HBM3E。从HBM追击到NAND专利授权逆转，

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，SK海力士更只有11件。其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，

HBM战场同样在加速，明年将量产HBM4E，

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，